|
ชิปตรวจจับการเรืองแสงความร้อนจากลิเธียมฟลูออไรด์
| ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 ชิ้น |
| ราคา: | ต่อรองได้ |
| บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: | กล่องกระดาษ |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5 ~ 8 วันทำการ |
| วิธีการชำระเงิน: | แอล/C,ที/ที |
| ความสามารถในการจัดหา: | 50000 ชิ้นต่อเดือน |
เครื่องตรวจจับการเรืองแสงความร้อนจากลิเธียมฟลูออไรด์
,เครื่องตรวจจับการเรืองแสงความร้อน TLD
,ชิปตรวจจับ TLD
TLD Series Thermoluminescent TLD Detector
บทนำผลิตภัณฑ์
Lตัวตรวจจับการเรืองแสงด้วยความร้อนลิเธียมฟลูออไรด์เป็นตัวตรวจจับแบบพาสซีฟที่เป็นของแข็งแบบรวม มีลักษณะเฉพาะคือขนาดเล็ก (ความละเอียดเชิงพื้นที่สูง) เลขอะตอมที่มีประสิทธิภาพใกล้เคียงกับอากาศและเนื้อเยื่อของมนุษย์ ปราศจากการรบกวนจากรังสีแม่เหล็กไฟฟ้า ช่วงการวัดกว้าง ขีดจำกัดล่างที่วัดได้ต่ำ การทำซ้ำได้ดี และลักษณะการวัดพัลส์อัตราปริมาณรังสีสูงของสนามรังสี สามารถนำไปใช้ในการตรวจสอบส่วนบุคคลของรังสีไอออไนซ์ การตรวจสอบสิ่งแวดล้อม และการวัดสนามรังสีเฉพาะ (รวมถึงการวัดแบบดิฟเฟอเรนเชียลของสนามผสม n และ γ) นอกจากนี้ยังสามารถใช้ในรังสีวิทยา ชีววิทยารังสี วิศวกรรมเครื่องปฏิกรณ์ โบราณคดี และสาขาวิชาอื่นๆ
พารามิเตอร์ทางเทคนิค
|
Iเทม |
ข้อมูลจำเพาะ |
|
วัตถุตรวจจับ |
X, γ-ray; วัสดุ: LiF: Mg, Cu, P หรือ LiF: Mg, Ti เป็นตัวเลือก |
|
วัตถุตรวจจับ |
รังสีนิวตรอน; วัสดุ: 6LiF: Mg, Cu, P หรือ 6LiF: Mg, Ti เป็นตัวเลือก |
|
รูปร่าง |
ดิสก์ (นอกจากนี้ยังมีสี่เหลี่ยม ผง แท่งสี่เหลี่ยมเป็นตัวเลือก) |
|
ข้อมูลจำเพาะ |
φ4.5×0.80 มม. (สามารถปรับแต่งข้อมูลจำเพาะอื่นๆ ได้) |
|
การตอบสนองต่อพลังงาน |
(โฟตอนจาก 30KeV ถึง 3MeV): <20% |
|
ความไวสัมพัทธ์ |
62 เท่า (TLD-100) |
|
ช่วงเชิงเส้น |
100nGy～12Gy |
|
เกณฑ์การตรวจจับ |
0.1μGy |
|
การกระจายตัว |
≤± 5%, 3%, 1% (เป็นตัวเลือก) |
|
การตอบสนองต่อนิวตรอน |
การตอบสนองต่อปริมาณรังสีที่ดูดกลืนเนื่องจากอนุภาคหนักขึ้นอยู่กับ LET ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อความแตกต่างของส่วนประกอบแกมมาใน n, สนามผสมแกมมา |
|
ความเสถียร |
ไม่มีการลดลงอย่างเห็นได้ชัดหลังจากเก็บไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลาหนึ่งเดือน และลดลงประมาณ 3% หลังจากเก็บไว้ที่ 50°C เป็นเวลาหนึ่งเดือน |
|
ผลกระทบจากการส่องสว่าง |
ไม่มีการตอบสนองที่ชัดเจนต่อแสงแดดในร่ม แสงจากหลอดไส้ และหลอดฟลูออเรสเซนต์ มีการตอบสนองต่อแสงแดดโดยตรง (แสงอัลตราไวโอเลต) |
|
สภาพแวดล้อมในการทำงาน |
T＜50%; RH＜90% |
Specification
|
ตัวตรวจจับการเรืองแสงด้วยความร้อน |
||||
|
No. |
Model |
ประเภท |
ข้อมูลจำเพาะ |
รูปร่าง |
|
1 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. (1%) |
ชิปรอบ |
|
2 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. (2%) |
ชิปรอบ |
|
3 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. (3%) |
ชิปรอบ |
|
4 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. (5%) |
ชิปรอบ |
|
5 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф3.6×0.40 มม. (2%) |
ชิปรอบ |
|
6 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф3.6×0.60 มม. (2%) |
ชิปรอบ |
|
7 |
TLD-200A |
LiF(Mg,Cu,P) |
ф3.6×0.80 มม. (2%) |
ชิปรอบ |
|
8 |
TLD-200 |
LiF(Mg,Cu,P) |
4.0×4.0×0.89 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
9 |
TLD-200 |
LiF(Mg,Cu,P) |
3.2×3.2×0.89 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
10 |
TLD-200 |
LiF(Mg,Cu,P) |
3.0×3.0×0.89 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
11 |
TLD207A |
7LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. |
ชิปรอบ |
|
12 |
TLD207 |
7LiF(Mg,Cu,P) |
4.0×4.0×0.80 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
13 |
TLD207 |
7LiF(Mg,Cu,P) |
3.2×3.2×0.20 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
14 |
TLD207 |
7LiF(Mg,Cu,P) |
3.2×3.2×0.40 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
15 |
TLD207 |
7LiF(Mg,Cu,P) |
3.2×3.2×0.60 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
16 |
TLD207 |
7LiF(Mg,Cu,P) |
3.2×3.2×0.80 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
17 |
TLD-200F |
7LiF(Mg,Cu,P) |
ฟิล์ม 5.0×5.0 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
18 |
TLD-200F |
LiF(Mg,Cu,P) |
ฟิล์ม 4.0×4.0 มม. |
SquareChip |
|
19 |
TLD-200F |
LiF(Mg,Cu,P) |
ฟิล์ม ф4.5×0.20 มม. |
ชิปรอบ |
|
20 |
TLD206A |
6LiF(Mg,Cu,P) |
ф4.5×0.80 มม. |
ชิปรอบ |
|
21 |
TLD-200R |
LiF(Mg,Cu,P) |
0.1×0.1×0.6 มม. |
แท่ง |
|
22 |
TLD-200R |
LiF(Mg,Cu,P) |
1.0×1.0×1.0 มม. |
แท่ง |
|
23 |
TLD-200R |
7LiF(Mg,Cu,P) |
1.0×1.0×6.0 มม. |
แท่ง |
|
24 |
TLD-100M |
LiF(Mg,Ti-M) |
5.0×5.0×0.80 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
25 |
TLD-100M |
LiF(Mg,Ti-M) |
4.0×4.0×0.80 มม. |
ชิปสี่เหลี่ยม |
|
26 |
TLD-100M |
LiF(Mg,Ti-M) |
ф4.5×0.80 มม. |
ชิปรอบ |
|
27 |
TLD-100 |
LiF(Mg,Ti) |
ф4.5×0.80 มม. |
ชิปรอบ |
|
28 |
ผงบริสุทธิ์ทางเคมี |
80~200 เมช |
ผง |
|
|
29 |
ผงบริสุทธิ์วิเคราะห์ |
80~200 เมช |
ผง |
|
